Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.2
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 74
    Rund um -222% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 2,201.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    74 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,178.4 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,201.1 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    508 left arrow 2442
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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