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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
16.2
写入速度,GB/s
2,201.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2442
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
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