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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
14.0
15.4
写入速度,GB/s
10.4
12.0
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2055
2791
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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