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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Confronto
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
14.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2055
2791
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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