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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2055
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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