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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
17.4
14.6
写入速度,GB/s
10.9
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2780
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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