G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 37

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 14.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.8 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 37
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 14.6
Скорость записи, Гб/сек

10.9 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 2780

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM