RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против INTENSO 5641160 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
INTENSO 5641160 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 5641160 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2613
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
INTENSO 5641160 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link