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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
23
读取速度,GB/s
13.7
16.1
写入速度,GB/s
9.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2613
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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