RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3193
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link