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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
46
读取速度,GB/s
16.1
11.6
写入速度,GB/s
10.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2571
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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