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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
46
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2571
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation M424016 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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