RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
73
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
15.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3282
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link