Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 73
    Rund um -217% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,510.5 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    476 left arrow 2795
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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