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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
73
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3564
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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