RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
73
Rund um -204% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3247
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link