RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
73
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
1904
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link