RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3292
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link