RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
15.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3423
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link