RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
5.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
1424
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link