RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3198
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link