RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
73
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2416
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link