RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
73
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
15.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2795
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link