RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
17.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
4156
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Crucial Technology CT51264BC1339.M16F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link