RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
73
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2968
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link