RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
73
101
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
6.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
1369
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link