RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
73
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
10.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2652
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link