RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
73
Rund um -192% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2989
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link