RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
73
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2397
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link