RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
73
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2643
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Qimonda ITC 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link