RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3112
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link