RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
69
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3297
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link