RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
1967
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link