RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3048
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link