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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
69
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3034
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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