RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
17.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
4048
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link