RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
15.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3515
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link