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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3673
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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