RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2634
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link