RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
69
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2695
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link