RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
69
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2193
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KHX16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link