RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
69
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
1966
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link