RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
69
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2155
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link