RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
69
Rund um -214% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3110
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link