RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
68
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
2709
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link