RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2709
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link