RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
68
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3100
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link