RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
68
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3100
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link