RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
68
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
64
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
3,886.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
1,702.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
654
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link