RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
64
Rund um -178% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
3086
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link